最好的功率器件_最好的功夫片
瑞能半导取得功率器件、功率器件的制作方法专利,保证原胞结构中...以及第一重掺杂区,第一重掺杂区位于阱区且与沟槽邻接,栅极具有预设电压能使第一重掺杂区与漂移层之间的阱区形成沟道,其中,沟道避位沟槽的拐角区域设置。根据本发明实施例的功率器件,保证原胞结构中剩余的与沟槽的非拐角区域邻接的各处沟道的开启一致,提高功率器件的可靠性等我继续说。
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禾迈股份申请逆变器相关专利,能采用低耐压功率开关器件具更好开关...DC‑AC变换电路,其直流侧通过所述低压直流母线与所述至少一个DC‑DC变换电路连接,用于将所述低压直流母线的电压逆变为交流输出电压。本发明的DC‑DC变换电路的全部功率开关器件以及DC‑AC变换电路的直流侧的功率开关器件均可以采用低耐压的功率开关器件,具有更好还有呢?
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新洁能申请一种按圆角矩形排布的功率半导体器件专利,能够增大平台...金融界2024 年8 月14 日消息,天眼查知识产权信息显示,无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种按圆角矩形排布的功率半导体器件“公开号CN202410581873.X,申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示,本发明涉及一种按圆角矩形排布的功率半导体器件。本发明包括自下而上依等会说。
禹龙通申请一种用于大功率射频元器件测试装置专利,提升测试工作效率金融界2024 年8 月11 日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳市禹龙通电子股份有限公司申请一项名为“一种用于大功率射频元器件测试装置“公开号CN202410744675.0 ,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本发明涉及测试装置技术领域,具体为一种用于大功率射频元器件测试等我继续说。
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华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利,降低功率...金融界2024 年8 月4 日消息,天眼查知识产权信息显示,华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种高性能MOSFET 功率器件外延设计结构、制作方法及应用“公开号CN202410874826.4,申请日期为2024 年7 月。专利摘要显示,本发明公开了一种高性能MOSFET 功率器件外延设等会说。
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艾罗能源申请功率开关器件的损耗计算方法、计算机设备及芯片系统...本申请公开一种功率开关器件的损耗计算方法、计算机设备及芯片系统,涉及功率变换器技术领域。其中,功率开关器件的损耗计算方法包括:仿真功率变换器的工况,检测与工况对应的功率开关器件的损耗相关数据。计算功率开关器件的仿真损耗。当损耗相关数据在数据手册规定的数据等会说。
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佳恩科技申请“一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整...金融界2024年7月27日消息,天眼查知识产权信息显示,青岛佳恩半导体有限公司申请一项名为“一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统“公开号CN202410453050.9,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明提供了一种单片集成逆导型GaN‑HEMT功是什么。
...子公司广芯微电子2023年底开始批量生产6英寸高端功率半导体器件金融界8月1日消息,有投资者在互动平台向民德电子提问:请问子公司的芯片制造能力,能生产多少纳米的芯片?光刻机是否已经可以生产芯片了?谢谢!公司回答表示:晶圆代工厂广芯微电子公司一期主要产品为6英寸高端功率半导体器件,属于“成熟制程、特色工艺”类产品,项目自2023年底等我继续说。
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中芯集成-U 申请沟槽型功率器件结构及其制造方法专利,解决现有技术...金融界2024 年7 月23 日消息,天眼查知识产权信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“沟槽型功率器件结构及其制造方法“公开号CN202410832133.9,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本发明提供一种沟槽型功率器件结构及其制造方法,在半导体衬底内形成后面会介绍。
中国一汽申请碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法专利,显著提升...金融界2024年7月23日消息,天眼查知识产权信息显示,中国第一汽车股份有限公司申请一项名为“碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法“公开号CN202410814967.7,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法,碳化硅MOSFET功率后面会介绍。
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