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...股份获得发明专利授权:“蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺”证券之星消息，根据企查查数据显示迈为股份(300751)新获得一项发明专利授权，专利名为“蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺”，专利申请号为CN202210798434.5,授权日为2024年6月11日。专利摘要：本发明涉及材料加工技术领域，特别是涉及蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、..

台积电申请半导体装置及其形成方法专利,通过蚀刻工艺形成装置晶片...半导体装置形成方法包含：将部分的介电质填充材料转变为硬遮罩的工艺包含使用氮气处理或氮气电浆将部分的介电质填充材料转变为类氮层，以作为硬遮罩，以通过蚀刻工艺形成装置晶片的边缘区域。在形成边缘区域之后，在边缘区域中提供另一种介电质填充材料。在完成的装置中，栅极还有呢？

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长鑫存储取得半导体干式蚀刻机台及其工艺流程专利,可以简单又有...金融界2024年5月3日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体干式蚀刻机台及其工艺流程“授权公告号CN109962002B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体为半导体干式蚀刻机台及其工艺流程，该机台包括依次设置还有呢？

至纯科技:已实现背面蚀刻功能,工艺指标可对标国际大厂金融界11月10日消息，至纯科技在互动平台表示，Backside clean(晶背清洗)工艺是在芯片制造工艺中相当重要的湿法工艺，其功能是将晶圆背面的金属污染物清除，把颗粒洗净，让晶圆以最佳状态进入光刻机。目前公司已实现Backside etch(背面蚀刻)功能，达到客户的验收标准。通过背面单说完了。

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...涂树脂铜箔及其应用专利,能够充分满足PCB双面蚀刻工艺的强度要求所述高介电常数填料在1kHz的介电常数≥50。本发明通过设计具有高长径比的高介电常数填料，其与热固性树脂、增韧剂复配并相互协同，使所述树脂组合物兼具高介电常数、优异的力学强度、高韧性以及优异的蚀刻加工性能，能够充分满足PCB双面蚀刻工艺的强度要求，适用于高电容密等会说。

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...面板、半导体、太阳能电池等产品的显影、蚀刻、清洗等制造工艺中有投资者在互动平台向联盛化学提问：请问董秘：公司产品可以用于半导体那个环节的生产材料？清洗剂、光刻胶还是晶圆制造？公司回答表示：公司的GBL、NMP、IPA 等产品属于湿电子化学品的范畴，可用于显示面板、半导体、太阳能电池等产品的显影、蚀刻、清洗等制造工艺中。本文后面会介绍。

高盟新材申请RFID蚀刻膜复合用粘合剂及其制备方法专利,复合膜熟化...脂环族环氧树脂、硅烷偶联剂组成的乙酸乙酯溶液；固化剂是TDI三聚体型聚异氰酸酯预聚物，主剂和固化剂按20:1.5混合成粘合剂，该粘合剂可直接用于RFID蚀刻膜PET/AL结构的复合，复合膜熟化后的剥离强度、耐酸碱腐蚀、耐高温等性能均能达到RFID蚀刻膜酸洗碱洗工艺的要求。本文后面会介绍。

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...基于光刻工艺的图形转移设备及其工艺专利,能够提高覆铜板的蚀刻...尤其涉及一种基于光刻工艺的图形转移设备及其工艺。该基于光刻工艺的图形转移设备包括图形转移件、蚀刻组件、清洗组件、防腐蚀材料制成的反应组件、防腐蚀材料制成的防护组件与防腐蚀材料制成的扰动机构，蚀刻组件包括分隔件与支撑板，反应组件包括两个反应件，防护组件包括小发猫。

东威科技:出售二流体蚀刻线给深联电路,打破国际单一进口设备商垄断金融界5月27日消息，东威科技披露投资者关系活动记录表显示，公司在与深联电路的合作中出售了一条二流体蚀刻线，可广泛用于高阶HDI、类载板、MiniLED等细线路细线距蚀刻处理工艺，标志着公司在细线路工艺领域崭露头角。此外，公司的PCB相关设备订单情况今年以来较好，较2023说完了。

江化微取得银膜蚀刻液专利,延长蚀刻液使用寿命提高生产效率金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，江阴江化微电子材料股份有限公司取得一项名为“一种高寿命银膜蚀刻液组合物及蚀刻工艺”，授权公告号CN114277373B,申请日期为2021年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种高寿命银膜蚀刻液组合物，其基于现有的硝酸乙酸混等会说。

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