碳化硅陶瓷片供应_碳化硅陶瓷砂轮
金力新材取得一种陶瓷合金复合耐磨耐高温刹车片制备方法的专利,...是一种陶瓷合金复合耐磨耐高温刹车片的制备方法，所述制备方法包括将活化聚氨酯泡沫加入到浆料中搅拌充分浸渍、挂浆后制成碳化硅陶瓷粉料，将碳化硅陶瓷粉料氨基化改性，将氧化锆纤维羧基化改性，两者通过酰胺化反应接枝结合，性能更加稳定，改善了氧化锆纤维与碳化硅陶瓷粉料界等我继续说。
河北同光半导体取得超高真空碳化硅原料合成炉系统专利,由其制备的...本发明公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统，涉及碳化硅合成技术领域，由其制备的高纯碳化硅粉体原料能够广泛用于半导体碳化硅单晶体的生长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备。本发明所述的超高真空碳化硅原料合成炉系统中，炉室为圆筒形立式双层水冷结构，炉室上安装炉盖，炉盖为等会说。
耐普矿机:8月21日召开业绩说明会,投资者参与具体内容如下：问：请对于公司研发的陶瓷渣浆泵，请研发进展如何，以及有什么优势？答：尊敬的投资者，您好。公司去年研发的陶瓷渣浆泵，在部分客户试用取得备件寿命增长1-2 倍的成果，目前我们在研发全陶瓷制成渣浆泵和渣浆泵不同部位使用碳化硅特种陶瓷材料。今年已经开始在国内和等会说。
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...核心材料覆铜陶瓷基板已实现量产,碳化硅外延片产品已在客户端认证金融界6月6日消息，有投资者在互动平台向江丰电子提问：董秘你好，请问公司第三代半导体核心材料覆铜陶瓷基板以及碳化硅外延片能否有望在2024年形成有效订单？公司回答表示：公司控股子公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司生产的第三代半导体核心材料覆铜陶瓷基板现已实现量产等会说。
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中国电研申请无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置...金融界2024年7月5日消息，天眼查知识产权信息显示，中国电器科学研究院股份有限公司申请一项名为“一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置“公开号CN202410434799.9,申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本发明公开一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快还有呢？
伏尔肯上交所IPO终止 为先进碳化硅、碳化硼陶瓷材料及制品生产商公司主要客户为国内外大型设备及装备供应商，包括中国电子科技集团、凯泉集团、耐驰集团、宁波得利时、上海电气、斯伦贝谢、SPECK 集团等。在航天军工领域，伏尔肯主要产品包括碳化硅遥感卫星反射镜镜坯及结构件、陶瓷防护制品等。公司以3D 打印技术为依托，有能力生产大说完了。
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万华化学申请硅氮基碳化硅陶瓷膜专利,该专利技术能实现优越的除水...金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，万华化学集团股份有限公司申请一项名为“一种硅氮基碳化硅陶瓷膜的制备方法及用途“公开号CN117753231A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本发明涉及一种硅氮基碳化硅陶瓷膜的制备方法及用途。包括以下步骤：1.碳化硅好了吧！
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龙源技术申请无水泥结合碳化硅陶瓷专利,得到的无水泥结合碳化硅...金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，烟台龙源电力技术股份有限公司申请一项名为“一种无水泥结合碳化硅陶瓷及其制备方法和应用“公开号CN117623787A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种无水泥结合碳化硅陶瓷及其制备方法和应用；所述无水等会说。
奥福环保申请碳化硅蜂窝陶瓷专利,专利技术能大幅度降低收缩,减小...金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，山东奥福环保科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法与应用“公开号CN117682865A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法与应用，所述碳化硅蜂窝陶瓷的等我继续说。
灿勤科技申请铜基碳化硅复合陶瓷制作方法专利,复合陶瓷具有优异的...金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，江苏灿勤科技股份有限公司申请一项名为“一种铜基碳化硅复合陶瓷的制作方法“公开号CN117655330A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请公开了一种铜基碳化硅复合陶瓷的制作方法，将适量的已制备好的碳化硅浆料与铜后面会介绍。
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